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J-GLOBAL ID：201002276504085633   整理番号：10A0240713

金属-半導体及び金属-酸化物界面におけるバンドアライメント

Band alignment at metal-semiconductor and metal-oxide interfaces

著者 (1件)： ROBERTSON John (Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 2  ページ： 261-269  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottky障壁形成のメカニズムに関連し,金属誘起ギャップ準位モデルからユニバーサル欠陥モデル,及び化学反応モデルまでレビューした。Si-高誘電率酸化物及び高誘電率金属酸化物システムの障壁高さ及びバンドオフセットに関する理解の最近の進展と各モデルの興味ある要素について議論した。この結果,これらのモデルは全てSi-HfO₂ゲートシステムに関連することが分かった。電気的キャラクタリゼーション及び熱処理の効果の分析により,欠陥反応の理解が進展し,固有メカニズムである金属誘起ギャップ準位(MIGS)と外因性メカニズムである欠陥による効果を分離することができた。理想的HfO₂-金属界面はアンピニング状態であるが,熱活性反応による酸素空孔の生成により,Fermi準位ピニングと称されるバンド曲がりが発生することを明らかにした。

シソーラス用語： バンド構造 ,  *Schottky障壁 ,  半導体金属接合 ,  誘電材料 ,  *MOS構造 ,  *酸化ハフニウム ,  *バンドオフセット ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  空格子点 ,  格子欠陥 ,  モデリング ,  バンドギャップ ,  *欠陥準位 ,  表面準位
準シソーラス用語： *バンドアライメント ,  高k材料

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物 ,  界面 ,  バンドアライメント