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J-GLOBAL ID：201002276724918415   整理番号：10A0611039

多重格子フィールドプレート(MGFP)を使ったAlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTのブレークダウン電圧増強

AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTs Breakdown Voltage Enhancement Using Multiple Grating Field Plates (MGFPs)

著者 (6件)： BAHAT-TREIDEL Eldad (Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik(FBH), Berlin, DEU) ,  HILT Oliver (Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik(FBH), Berlin, DEU) ,  BRUNNER Frank (Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik(FBH), Berlin, DEU) ,  SIDOROV Victor (Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik(FBH), Berlin, DEU) ,  WUERFL Joachim (Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik(FBH), Berlin, DEU) ,  TRAENKLE Guenther (Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik(FBH), Berlin, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 6  ページ： 1208-1216  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN HEMTは高出力スイッチングで優れた性能を示すが,オン抵抗R_ONの伝導度低下とオフブレークダウン電圧V_OFFがパワースイッチの足かせになっている。電界効果デバイスではフィールドプレート(FP)を用いてオフブレークダウン電圧を高める手法が知られている。積層FPは電界分布を改善するが,容量を増やし高周波動作に不適であり工程も増加する。従って本稿では単層の多重格子FP(MGFP)を提案した。AlGaN背面障壁(BB)とMGFPによってオフ状態サブ閾値ゲートおよびドレインリーク電流を低減し,ブレークダウン電圧を700V以上,オン抵抗を0.68mΩ×cm2の低い値とした。シミュレーションによって,FP設計に依存する電界分布と電荷密度に関する知見を得た。

シソーラス用語： 半導体材料 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  電力トランジスタ ,  ヘテロ接合 ,  電圧 ,  オン抵抗 ,  漏れ電流 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  電荷分布 ,  密度
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  *フィールドプレート ,  *ブレークダウン電圧 ,  リーク電流 ,  電荷密度 ,  電界分布

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多重格子 ,  フィールドプレート ,  AlGaN ,  GaN ,  ブレークダウン電圧 ,  増強