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J-GLOBAL ID：201002276885739480   整理番号：10A0278025

高分子電解質ゲート誘電体を用いた高分子薄膜トランジスタからの低電圧リング発振器の構築

Low-Voltage Ring Oscillators Based on Polyelectrolyte-Gated Polymer Thin-Film Transistors

著者 (5件)： HERLOGSSON Lars (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE) ,  COELLE Michael (Merck Chemicals Ltd, Southampton, GBR) ,  TIERNEY Steven (Merck Chemicals Ltd, Southampton, GBR) ,  CRISPIN Xavier (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE) ,  BERGGREN Magnus (Linkoeping Univ., Norrkoeping, SWE)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 1  ページ： 72-76  発行年： 2010年01月05日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ(OTFT)のプリント配線電子工学での利用の展開に着目し,高速・低電圧駆動の相補チャンネルOTFT回路(リング発信器;RO)の構築について,高分子電解質をゲート絶縁体(誘電体)に用いた高分子OTFTの複数個の接続による方式を検討した。ポリ(チオフェン)誘導体を半導体,ポリアニオン性高分子電解質のポリ(ビニルホスホン酸-co-アクリル酸)をゲート絶縁体とするOTFT(底面接触・上面ゲート方式;Auソース-ドレイン電極間隔:3.5μm,Tiゲート電極とは組合せ配置)の複数個の接続によるROは,時計周波数が100Hz~1kHz,駆動電圧が1Vで稼動する。このOTFTの2個の接続によるインバータ(駆動及び負荷トランジスタから構成)と7個の接続による七段階ROのデバイス特性を評価し(供給電圧が-1.5Vでの出力電圧の振動は-0.9V,発振周波数は235Hz),高分子電解質をゲート絶縁体とする方法の利点を明らかにした。

シソーラス用語： *リング発振器 ,  *高分子電解質 ,  ゲート【半導体】 ,  *酸化膜 ,  薄膜トランジスタ ,  ポリチオフェン類 ,  ポリアクリル酸 ,  インバータ ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  ポリアニオン【高分子】 ,  有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： 分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ビニルホスホン酸

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子電解質 ,  ゲート誘電体 ,  高分子薄膜 ,  トランジスタ ,  低電圧 ,  リング発振器 ,  構築