文献

J-GLOBAL ID：201002276892080435   整理番号：10A0823276

二成分アンチドットナノ構造における磁化反転および異方性磁気抵抗効果挙動

Magnetization reversal and anisotropic magnetoresistance behavior in bicomponent antidot nanostructures

著者 (5件)： TRIPATHY D. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Information Storage Materials Lab., National Univ. of Singapore ...) ,  VAVASSORI P. (CIC nanoGUNE Consolider, Tolosa Hiribidea, 76, E-20018 Donostia-San Sebastian, ESP) ,  PORRO J. M. (CIC nanoGUNE Consolider, Tolosa Hiribidea, 76, E-20018 Donostia-San Sebastian, ESP) ,  ADEYEYE A. O. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Information Storage Materials Lab., National Univ. of Singapore ...) ,  SINGH N. (A*Star Inst. of Microelectronics, 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park II, Singapore 117685)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 4  ページ： 042512  発行年： 2010年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,連続的なパーマロイ薄膜に埋め込まれた,交互に変化する直径を有する「細孔」からなる加工した二成分アレイについて,磁気特性および異方性磁気抵抗効果挙動を報告した。著者らは,アンチドットの均一アレイと比べて,この磁化反転は有意な変化を示し,パーマロイ厚さに対する強い依存性を示すことを観測した。著者らの結果は,二アンチドット副格子の利用が,アンチドットナノ構造の挙動の技術に対して得られるパラメータを著しく増大させることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パーマロイ ,  *磁性薄膜 ,  *ナノ構造 ,  量子ドット ,  *磁化反転 ,  *磁気抵抗効果 ,  細孔 ,  アレイ ,  磁気異方性 ,  膜厚
準シソーラス用語： アンチドット

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二成分 ,  アンチドット ,  ナノ構造 ,  磁化反転 ,  異方性 ,  磁気抵抗効果 ,  挙動