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J-GLOBAL ID：201002276930723019   整理番号：10A0969705

基板によって誘発される歪みとCrO₂薄膜におけるその効果

Substrate-induced strain and its effect in CrO₂ thin films

著者 (7件)： PATHAK M. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA) ,  SATO H. (MINT Center, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA) ,  ZHANG X. (MINT Center, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA) ,  CHETRY K. B. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA) ,  MAZUMDAR D. (MINT Center, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA) ,  LECLAIR P. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA) ,  GUPTA A. (MINT Center, Univ. of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 5  ページ： 053713  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,基板によって誘発される歪みと各方位を持つTiO₂基板上に堆積された(100)および(110)CrO₂薄膜におけるその効果に関する研究結果を報告する。(110)CrO₂薄膜は基本的に歪みのない状態で成長するのに対して,(100)CrO₂薄膜は全ての格子方向,即ち面外方向には圧縮歪み,そして面内方向には引っ張り応力,に関して歪みが生じることが分かった。歪みを持つ(100)および歪みのない(110)CrO₂薄膜における結晶格子パラメータと三つの結晶方向に関する歪みの大きさを決定した。また,基板によって誘発される歪みは,(100)CrO₂薄膜の室温における磁気モーメントに大きな影響を及ぼすことが分かった。(100)薄膜における歪みが増すと,磁気モーメントは減少し,歪みのない(110)CrO₂薄膜は全ての厚さにおいて大きな磁気モーメントを持つことが分かった。歪みのある(100)および歪みのない(110)CrO₂薄膜に関する巨視的コンダクタンスの5~400Kの温度域における定性的な振る舞いは非常に類似し,低温およびT_c近傍では同じ振る舞いを示すことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 基板 ,  歪 ,  酸化チタン ,  *酸化クロム ,  *誘電体薄膜 ,  格子定数 ,  結晶方位 ,  引張応力 ,  *磁気モーメント ,  *磁性薄膜 ,  X線回折 ,  化学蒸着 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  引張歪

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘発 ,  歪み ,  薄膜