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J-GLOBAL ID:201002277111824830   整理番号:10A0037909

Pd-Ga/Al2O3触媒によるn-ブタンの脱水素反応

Dehydrogenation of n-butane over Pd-Ga/Al2O3 catalysts
著者 (6件):
資料名:
巻: 373  号: 1-2  ページ: 66-70  発行年: 2010年01月31日 
JST資料番号: D0691C  ISSN: 0926-860X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アルミナ担持Pd及びPd-Ga触媒によるn-ブタンの脱水素反応を調べた。PdCl2及びGa(NO3)3の水溶液を用いて,0.66wt%のPd含有量及び0~∞の原子Ga/Pdをもつ触媒を初期含浸により調製した。新鮮(未焼成)及び焼成触媒のキャラクタリゼーションをX線蛍光分析(XRF),N2吸着,温度プログラム還元(TPR),CO及びH2化学吸着及びO2/H2滴定で行った。n-ブタン脱水素反応を500°C,大気圧及び10のH2/C4H10比で行った。CO化学吸着結果に従って,Ga含有量の増加によるPd分散の増加が新鮮触媒で観察された。H2化学吸着及びH2/O2滴定は新鮮触媒でのPd分散を調べるための信頼できる方法ではなかった。低いGa含有量をもつ焼成触媒のCO/Pd,H/Pd及びO/Pd値は非常に類似しているが,より高いGa含有量をもつ焼成触媒では異なった。これらの相違を塩素の存在に基づいて説明した。コーク析出は触媒の失活を起こし,Pdによる水素化分解を阻害し,脱水素選択性を優先した。新鮮触媒において,Ga添加はコークで生ずる影響に類似した影響の原因となり,活性を下げて,脱水素選択性を増加した。焼成触媒において,活性に及ぼすGa添加の影響は焼成処理で減少した。焼成と高Ga含有量の組合せにより,促進した活性及び非常に高い脱水素選択性をもつ触媒になる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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貴金属触媒  ,  変性プロセス 
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