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J-GLOBAL ID:201002277225437801   整理番号:10A0118040

化学的に析出させた硫化スズ

Chemically deposited tin sulphide
著者 (4件):
資料名:
巻: 490  号: 1-2  ページ: 180-183  発行年: 2010年02月04日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SnS薄膜を30mlのトリエタノールアミン(TEA)(C6H158NO3)(50%),10mlのチオアセトアミド(CH3CSNH2),8mlのアンモニア(NH3)溶液及び10mlのSn2+(0.1M)を含む水溶液から化学浴析出によりマルチ析出でガラス基板に作製した。これらの膜はX線回折(XRD),走査型電子顕微鏡及び分光光度計測定で評価した。得られた薄膜は閃亜鉛鉱型構造を示し,結晶化度は膜厚の増加と共に増加し,6回析出させて作製した膜のバンドギャップエネルギーは約1.76eVであった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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その他の無機化合物の薄膜 
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