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J-GLOBAL ID：201002277513286052   整理番号：10A0193960

電気化学的核形成及び成長における表面幅の発生

Evolution of surface width in electrochemical nucleation and growth

著者 (2件)： GUO Lian (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Johns Hopkins Univ., Baltimore MD 21218, USA) ,  SEARSON Peter C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Johns Hopkins Univ., Baltimore MD 21218, USA)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 12  号： 3  ページ： 431-434  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅アイランドの成長過程で表面幅の発生を,アイランド密度と同様アイランド形状をも制御して,反応速度論的領域で調べた。アイランド合体での膜の粗さは,アイランド密度,アイランド形状及びアイランド成長反応速度により決定されることを示す。アイランド成長及び膜成長の反応速度間の関係は表面粗さの制御のための科学的根拠をもたらす。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *核形成 ,  *結晶成長 ,  島状構造 ,  *電着 ,  表面粗さ ,  反応速度 ,  電気めっき ,  銅めっき ,  原子間力顕微鏡

分類 (3件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  結晶成長一般  (BK13010Q) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気化学 ,  核形成 ,  成長