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J-GLOBAL ID：201002277544266122   整理番号：10A0955462

自己整合シリコンリフローを特色とするpMOSFETの埋込みSiGe用の極端表面プロキシミティプッシュ

An Extreme Surface Proximity Push for Embedded SiGe in pMOSFETs Featuring Self-Aligned Silicon Reflow

著者 (5件)： LIN Da-Wen (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  LIN Da-Wen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chien-Liang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Ming-Jer (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Chung-Cheng (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 924-926  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pMOSFETの埋込みSiGe先端とチャネル領域の間の距離(プロキシミティ)を調整する新たな技法を提案した。水素アニーリング中の自己整合シリコンリフロー(SASR)を利用することにより,リセス面の湾曲を緩和すると同時に表面で極端に近接したプロキシミティを得る。スペーサ幅で決まる従来のエッチング法とは違って,SiGe先端はゲート端による位置決めが可能である。TEM写真とTCADシミュレーションによりこれを確証し,実験によりデバイス性能の顕著な改善を示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *半導体材料 ,  *埋込み【挿入】 ,  物質移動 ,  自己整合 ,  調整 ,  短チャネル効果 ,  比率 ,  ケイ素 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *SiGe ,  オンオフ比 ,  寸法調整 ,  直列抵抗 ,  歪シリコン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己整合 ,  シリコン ,  リフロー ,  pMOSFET ,  埋込み ,  SiGe ,  プロキシミティ ,  プッシュ