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J-GLOBAL ID：201002277586605865   整理番号：10A1456293

6H-SiC(0001)基板上の単一層および多層グラフェンの成長動力学および速度

Growth dynamics and kinetics of monolayer and multilayer graphene on a 6H-SiC(0001) substrate

著者 (4件)： POON Siew Wai (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHEN Wei (National Univ. Singapore, Singapore) ,  WEE Andrew T. S. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  TOK Eng Soon (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 12  号： 41  ページ： 13522-13533  発行年： 2010年11月07日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能のグラフェンを作製する方法として6H-SiC(0001)基板の熱分解によるエピタキシャル法が検討されているが剥離法グラフェンと同程度の性能(キャリア移動度)を有するものは得られておらず原因を明らかにすることが望まれている。走査型トンネル顕微鏡法を用いて6H-SiC(0001)基板上の炭素分の多い(6√3×6√3)R30°再構築表面のグラフェンへの変換の過程をコバルト修飾法により系統的に調べた。(6√3×6√3)R30°表面からグラフェンが成長するときSiC/グラフェン界面の3つのSi-Cニ原子層が崩壊して(6√3×6√3)R30°構造を維持したまま炭素分の多い層を形成することを見いだした。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *炭化ケイ素 ,  *熱分解 ,  *エピタクシー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  コバルト
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  *二層グラフェン ,  *エピタキシャル成長

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  単一層 ,  多層グラフェン ,  成長 ,  動力学