文献

J-GLOBAL ID：201002277613757222   整理番号：10A0391045

パルスレーザ堆積により作製した窒素添加UNCD/a-C:H膜のX線光電子分光

X-ray photoemission spectroscopy of nitrogen-doped UNCD/a-C:H films prepared by pulsed laser deposition

著者 (3件)： AL-RIYAMI Sausan (Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  OHMAGARI Shinya (Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  YOSHITAKE Tsuyoshi (Dep. of Applied Sci. for Electronics and Materials, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 5-6  ページ： 510-513  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素添加ウルトラナノ結晶ダイアモンド(UNCD)/水素化非晶質カーボン(a-C:H)膜をパルスレーザ堆積(PLD)により堆積させた。膜中の窒素濃度は流入量中の窒素と水素ガス間の比を変えることで制御した。7.9at%の窒素濃度を添加した膜は,300Kの電気伝導度18Ω^-1cm^-1のn-型伝導を持つ。シンクロトロン放射を用いて測定したX線光電子スペクトルは,sp²,sp³水素化炭素,C=NおよびC-Nによる4成分のスペクトルに分解された。sp³ピークの半値全幅は0.91eVであった。この小さい値はUNCD/a-C:H膜に特有である。sp²/(sp³+sp²)値は窒素濃度が0から8.9at%への増大と共に32から40%へと高められた。この増大した確率はa-C:HマトリックスとUNCD結晶子の粒界への窒素取り込みに起因している。以前の報告によるとこの添加量に対してa-C:Hの電気伝導度は劇的には大きくならないので,電気伝導度の増大は主に粒界への窒素の取り込みに因ると信じられる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  ダイヤモンド状炭素 ,  *DLC膜 ,  ドーパント ,  窒素 ,  製膜 ,  レーザ蒸着 ,  電気伝導率 ,  添加物効果 ,  濃度依存性 ,  結晶粒界 ,  ナノ結晶

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ堆積 ,  作製 ,  窒素添加 ,  X線光電子分光