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J-GLOBAL ID：201002277804746948   整理番号：10A0127283

熱蒸発法によって蒸着されたセレン化スズ薄膜の構造,光学および電気特性に及ぼす基板温度の影響

Influence of the substrate temperature on the structural, optical, and electrical properties of tin selenide thin films deposited by thermal evaporation method

著者 (7件)： KUMAR N. (Univ. Jammu, Jammu and Kashmir State, IND) ,  SHARMA V. (Univ. Jammu, Jammu and Kashmir State, IND) ,  PADHA N. (Univ. Jammu, Jammu and Kashmir State, IND) ,  SHAH N.M. (M.S. Univ. Baroda, Gujarat State, IND) ,  DESAI M.S. (M.S. Univ. Baroda, Gujarat State, IND) ,  PANCHAL C.J. (M.S. Univ. Baroda, Gujarat State, IND) ,  PROTSENKO I.Yu. (Sumy State Univ., UKR)
資料名： Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)
巻： 45  号： 1  ページ： 53-58  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0232-1300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸発法を用いて軟質ガラス基板上にSnSe薄膜を蒸着し,XRDおよびSEM測定によって成膜の構造,形態に及ぼす基板温度(T_s=350~550K)の影響を研究した。全てのT_sに対して(111)方向に優先配向したグレインから成る多結晶膜が形成され,T_sが高いほどグレインの一様な分布が見られる。透過スペクトル測定ならびにHall効果,電気抵抗測定によって光学および電気特性を評価した。T_sに依存してエネルギーギャップ1.50~1.18eV,活性化エネルギー0.14~0.28eVが決定された。

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  スズ化合物 ,  セレン化物 ,  *基板温度 ,  構造特性 ,  光学的性質 ,  電気特性 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  Hall効果 ,  電気抵抗 ,  活性化エネルギー ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： *セレン化スズ ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 蒸発 ,  蒸着 ,  セレン化スズ ,  薄膜 ,  光学 ,  電気特性 ,  基板温度