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J-GLOBAL ID：201002277835220006   整理番号：10A0727700

サブスレッショルドスイング値が小さい低電圧動作の変形可能なInGaZnO薄膜トランジスタ

Low-Voltage-Driven Flexible InGaZnO Thin-Film Transistor With Small Subthreshold Swing

著者 (7件)： SU Nai-Chao (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Shui-Jinn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HUANG Chin-Chuan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Yu-Han (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HUANG Hao-Yuan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHIANG Chen-Kuo (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHIN Albert (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 7  ページ： 680-682  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電率のHfLaOをゲート誘電体として使うポリイミド(PI)基板上の変形可能なアモルファスInGaZnO(a-IGZO)による薄膜トランジスタを作成し特性を評価した。0.1Vという低い閾値電圧(V_T),0.18V/decという小さいサブスレッショルドスイング(SS)値,22.1cm²/V・sという高い最大飽和移動度(μ_sat),2x10⁵という十分なオン/オフ電流比(I_on/I_off)を示した。この素子は1.5Vでの動作も可能であり,将来のディスプレイエレクトロニクスについて,低電力消費と機械的変形の可能性を開くと期待される。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  半導体薄膜 ,  非晶質半導体 ,  電圧 ,  消費電力 ,  誘電体 ,  ハフニウム化合物 ,  酸化ランタン
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  高k誘電体 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブスレッショルドスイング ,  低電圧 ,  トランジスタ