文献

J-GLOBAL ID：201002277934148589   整理番号：10A0416307

非常に狭い強磁性共鳴線幅を有するCoFeSiO/SiO₂積層グラニュラー磁性膜を用いたダブルスパイラル構造インダクタ

Double spiral inductors using CoFeSiO/SiO₂ multilayer granular films with very narrow ferromagnetic resonance bandwidth

著者 (7件)： 池田賢司 (太陽誘電株式会社) ,  池田賢司 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  鈴木利昌 (太陽誘電株式会社) ,  丸山誠礼 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  峯村知剛 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  曽根原誠 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター) ,  佐藤敏郎 (信州大学スピンデバイステクノロジーセンター)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 34  号： 2  ページ： 123-130 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 1882-2924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GHz帯で動作する高周波磁性薄膜-利用高Q値インダクタを実現するため,CoFeSiO/SiO₂積層グラニュラー磁性薄膜を用いた高周波インダクタを作製し,強磁性共鳴ピークの線幅とインダクタの配線形状がQ値に与える影響を調べ,磁性薄膜のスリット分割の効果とコイル導体分割の効果を解析した。CoFeSiO/SiO₂積層グラニュラー磁性薄膜を350°Cで熱処理を行っても透磁率特性は変化せず,インダクタの試作(300°Cのプロセス温度)において熱劣化がないことがわかった。また,磁性薄膜のスリット分割とコイル導体の分割が交流抵抗の増加を抑制することがわかった。

シソーラス用語： *磁性薄膜 ,  Q値 ,  *薄膜インダクタ ,  UHF【周波数】 ,  コバルト合金 ,  磁性合金 ,  酸化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  積層構造 ,  微細加工 ,  導体 ,  分割 ,  透磁率 ,  強磁性共鳴 ,  螺旋
準シソーラス用語： グラニュラー薄膜 ,  スリット【構造】 ,  熱処理温度

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (20件)：

• 1) H. Karamon, T. Masumoto, and Y. Makino: J. Appl. Phys., 57, 3527 (1985).
• 2) M. Munakata, M. Namikawa, M. Motoyama, M. Yagi, Y. Shimada, M. Yamaguchi, and K. -I. Arai: Trans. Magn. Soc. Jpn., 2, 388 (2002).
• 3) S. Ohnuma, H. Fujimori, S. Mitani, and T. Masumoto: J. Appl. Phys., 79, 5130 (1996).
• 4) S. Ge, D. Yao, M. Yamaguchi, X. Yang, H. Zuo, T. Ishii, D. Zhou, and F. Li: J. Phys. D, 40, 3660 (2007).
• 5) S. Ohnuma, T. Iwasa, H. Fujimori, and T. Masumoto: IEEE Trans. Magn., 42, 2769 (2006).

タイトルに関連する用語 (6件)： 強磁性共鳴 ,  線幅 ,  SiO2 ,  磁性膜 ,  スパイラル ,  インダクタ