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J-GLOBAL ID：201002278030938845   整理番号：10A0328639

バイオセンサのための原子層堆積不動態被膜を用いたカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの作製工程

Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors

著者 (6件)： NAKASHIMA Yasuhiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Yutaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKOCHI Mina (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HONDA Hiroyuki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 6  ページ： 3805-3809  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイオセンサのための,カーボンナノチューブ(CNT)電界効果トランジスタ(FET)について報告している。HfO₂の原子層堆積(ALD)を,不動態被膜/ゲート絶縁膜の堆積に用いた。このCNT-FETは,ALD不動態化の後ドレイン電流低下は認められなかった。一方で,プラズマ支援化学蒸着(PECVD)Si₃N₄による不動態化は顕著なドレイン電流減少となった。これは,ダメージ抑制を可能にするALD技術の利点を示すものとした。このような作製工程を経たCNT-FETの,バイオセンサー機能を確認している。

シソーラス用語： *バイオセンサ ,  *カーボンナノチューブ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化膜 ,  化学蒸着 ,  *単原子層 ,  不動態化 ,  プラズマCVD ,  *ゲート絶縁膜 ,  *化成皮膜 ,  改変

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイオセンサ ,  原子層堆積 ,  不動態被膜 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  作製