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J-GLOBAL ID：201002278246009210   整理番号：10A0277264

電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化

Integration of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration

著者 (6件)： 上野俊介 (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  友田悠介 (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  久米彌 (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  花田道庸 (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  滝谷和聡 (東京農工大 大学院共生科学技術研究院) ,  白樫淳一 (東京農工大 大学院共生科学技術研究院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 422(ED2009 196-211)  ページ： 35-39  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーション(EM)を用いて単電子トランジスタ(SET)の作製とその集積化の検討を行った。本手法は,数十nm程度のギャップを有するナノギャップ電極に対して,電界放射電流により誘起されたEMを発現させることで,ギャップ近傍の原子を移動させてギャップ間隔を狭窄化すると同時に,ギャップ間に原子を堆積させアイランドを形成することも可能な技術である(アクティベーション法)。これまでに,本手法を用いて単電子トランジスタの簡便な作製を行ってきた。アクティベーション法では通電する電界放射電流の強度によってSETの帯電エネルギーを制御することが可能である。これより,複数のナノギャップを直列に接続し,同時にアクティベーションを適用することで,SETの一括作製とその集積化を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *LSI【IC】 ,  *単一電子トランジスタ ,  *エレクトロマイグレーション ,  トンネル接合 ,  電流
準シソーラス用語： 電界放射電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電流誘起 ,  エレクトロマイグレーション ,  単電子トランジスタ ,  集積化