抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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窒化物半導体を用いた緑色レーザダイオード(LD)は,性能が格段に向上し,520nm以上の純緑色領域での連続発振も複数のメーカーから報告されるようになった。赤色LDはAlGaInP系,青色LDはAlGaInN系の材料が用いられる。その間の波長である緑色LDは,適した材料が見つかっていないために実用化が遅れている。AlGaInN系材料で活性層のIn組成を青色よりも増やすことにより緑色発光させている。LD構造成長用の基板はGaであるが,活性層のIn組成を増加すると,格子定数大きくなるために,下地のGaNとの格子不整合が大きくなる。この問題の解決策として,ハロゲン気相成長(HVPE)法などの基板成長技術の開発が進んでいる。また,緑色LDを製造するには,c面か半極性面か,どちらの結晶面が最適かと議論が続いている。