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J-GLOBAL ID：201002278734556352   整理番号：10A1048766

CaBi₂Nb₂O₉薄膜の強誘電/圧電応答に及ぼす酸化雰囲気の影響

Effect of oxidizing atmosphere on ferroelectric and piezoelectric response of CaBi₂Nb₂O₉ thin films

著者 (6件)： SIMOES A.z. (Federal Univ. of Itajuba- Unifei - Itabira, Sao Paulo Street, 377, Amazonas, 35900-37 Itabira, MG, BRA) ,  AGUIAR E.c. (Chemistry Inst., Dep. of Chemistry-Physics, UNESP, 14800-900 Araraquara, SP, BRA) ,  RICCARDI C.s. (Chemistry Inst., Dep. of Chemistry-Physics, UNESP, 14800-900 Araraquara, SP, BRA) ,  LONGO E. (Chemistry Inst., Dep. of Chemistry-Physics, UNESP, 14800-900 Araraquara, SP, BRA) ,  VARELA J.a. (Chemistry Inst., Dep. of Chemistry-Physics, UNESP, 14800-900 Araraquara, SP, BRA) ,  MIZAIKOFF B. (School of Chemistry and Biochemistry, Georgia Inst. of Technol., 901 Atlantic Dr., EST Bldg., Atlanta, GA 30332-0400 ...)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 124  号： 2-3  ページ： 894-899  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロマシン技術システムにおいて鉛フリー圧電体としての利用のため,ニオブ酸カルシウムビスマス(CaBi₂Nb₂O₉,CBNO)薄膜を評価した。高分子前駆体法により,Pt/Ti/SiO₂/Si(100)(Pt)基板上で膜を成長させ,周囲および酸素雰囲気条件,700°C,2hr下でアニーリングした。XRD,Raman,IR,PFM,電気測定を利用し,膜を特性化した。周囲条件下のアニーリングは,改善した強誘電性,より高い疲れ抵抗と保持抵抗,改善された圧電応答を導いた。更に,酸素雰囲気は,Z軸に沿った領域壁移動を抑制し,結果的に圧電係数を減らすビスマス空孔(V’’’Bi)を生成する。印加電場から独立に,保持した切換可能分極が,保持時間10s後,ほぼ定常状態値に近づいた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MEMS ,  領域壁 ,  *ニオブ酸塩 ,  *カルシウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *薄膜 ,  材料 ,  圧電体 ,  薄膜成長 ,  *雰囲気 ,  アニーリング【現象】 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  赤外分光法 ,  PFM【信号】 ,  電気測定 ,  *強誘電性 ,  疲れ強さ ,  *応答 ,  係数 ,  定数 ,  空格子点 ,  分極
準シソーラス用語： マイクロマシン技術システム ,  鉛フリー材料 ,  *酸素雰囲気 ,  疲れ抵抗 ,  *圧電応答 ,  圧電係数 ,  空孔【点欠陥】

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  圧電応答 ,  酸化雰囲気