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J-GLOBAL ID：201002278813971578   整理番号：10A0241717

ITO/SiO_x/p-Si MOSダイオードにおけるSiナノドットとナノピラミッド依存光エミッションとチャージアキュムレーション

Si Nano-Dots and Nano-Pyramids Dependent Light Emission and Charge Accumulation in ITO/SiO_X/p-Si MOS Diode

著者 (3件)： LIEN Yu-Chung (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  PAI Yi-Hao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Gong-Ru (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 46  号： 1-2  ページ： 121-127  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光の増強,不揮発性メモリ特性によって注目を集めている,Si豊富なSiO_xフィルムにおけるSiナノドットの形成について検討した。SiO_x/SiインターフェイスでのSiナノドットとSiナノピラミッドを有するダイオードのチャージリテンションの延長と電流ブロッキング,強化ELについて調べた。Si豊富なSiO_xフィルムの厚さは300nmである。ターンオン電圧が182Vから52Vに低減した。

シソーラス用語： *ダイオード ,  MOS構造 ,  *ナノ構造 ,  ターンオン ,  電圧 ,  電流
準シソーラス用語： ナノドット

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ITO ,  Si ,  MOSダイオード ,  ナノドット ,  ナノピラミッド ,  エミッション ,  チャージ ,  アキュムレーション