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J-GLOBAL ID：201002278895641449   整理番号：10A0596699

材料基礎研究最前線 新しい低次元半導体ナノ構造の創出へ向けて

著者 (4件)： 章国強 (NTT 物性科学基礎研) ,  舘野功太 (NTT 物性科学基礎研) ,  後藤秀樹 (NTT 物性科学基礎研) ,  寒川哲臣 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： NTT技術ジャーナル
巻： 22  号： 6  ページ： 22-26  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： F0050B  ISSN： 0915-2318  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤと呼ばれる1次元のナノ構造が,将来の高機能デバイスへの応用に向けて近年広く注目を集めています。本稿では,NTT物性科学基礎研究所が取り組んでいるナノワイヤ結晶成長方法であるVLS(Vapor-Liquid-Solid)法によって作製したさまざまな構造とその特徴について紹介します。(著者抄録)

シソーラス用語： ナノテクノロジー ,  *ナノワイヤ ,  量子閉込め ,  *VLS成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ヒ化インジウム ,  *リン化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  半導体
準シソーラス用語： 低次元半導体

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 基礎 ,  研究 ,  低次元 ,  半導体ナノ構造 ,  創出