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J-GLOBAL ID：201002278987997215   整理番号：10A0710425

LSIへのデバイス構造貼り付けによる高周波MEMSスイッチの作製法

著者 (4件)： 松尾幸祐 ,  松村武 ,  江刺正喜 ,  田中秀治
資料名： 電気学会マイクロマシン・センサシステム研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MSS-10  号： 1-6.8-16.18-30  ページ： 19-23  発行年： 2010年06月17日 
JST資料番号： L2898B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSI直上に高周波MEMSスイッチを集積化するプロセスを開発した。機械特性と電気特性に優れる材料(本研究では,CVDで成膜したSiO₂)を構造材料として利用するため,あらかじめスイッチ構造を作り込んだウェハを,あらかじめ平坦化したLSIウェハに熱可塑性ポリイミドを用いて接合し,その後,めっきによってMEMSとLSIとを電気的に接続した。使用したLSIはCMOSファンドリで試作した簡単なスイッチング回路である。本論文では,デバイスの設計,開発したプロセス技術,および明らかになった問題点とその解決法を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *LSI【IC】 ,  HF【周波数】 ,  *マイクロスイッチ ,  集積回路 ,  スイッチ回路 ,  電気設計 ,  CMOS構造
準シソーラス用語： *MEMSスイッチ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• 千葉耕司 他, 携帯電話キーデバイスの開発と動向, CMC出版 (2007)
• K. Okada et al., “A dynamic reconfigurable RF circuit architecture”, Asia and South Pacific Design Automation Conference, Shanghai, China, January, 2005, pp. 683-686
• Kei Kuwabara et al., “Low-Actuation-Voltage RF MEMS Devices and Their Integration with a CMOS LSP”, The 24th Sensor Symposium, Tokyo, October, 2007, pp. 41-44
• Andrew B. Sontheimer, “DIGITAL MICROMIRROR DEVICE (DMD) HINGE MEMORY LIFETIME RELIABILITY MODELING”, 40th Annual International Reliability Physics Symposium, Dallas, Texas, 2002, pp. 118-121
• Hao-Han Hsu et al., “A VISCOELASTIC-AWARE EXPERIMENTALLY-DERIVED MODEL FOR ANALOG RF MEMS VARACTORS”, IEEE MEMS 2010, Hong Kong, China, January, 2010, pp. 783-786

タイトルに関連する用語 (6件)： LSI ,  デバイス構造 ,  貼り付け ,  高周波 ,  MEMSスイッチ ,  作製法