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J-GLOBAL ID:201002279034267550   整理番号:10A0925156

宇宙における応用のための効率68%,Cバンド100W GaN電力増幅器

A 68% Efficiency, C-Band 100W GaN Power Amplifier for Space Applications
著者 (9件):
資料名:
巻: 2010 Vol.3  ページ: 1726-1730  発行年: 2010年 
JST資料番号: A0636A  ISSN: 0149-645X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高効率,高出力,高信頼性GaN HEMT増幅器について報告する。入出力回路の2次高調波(2f0)同調回路によって高い効率を達成した。入力回路には最適位相で2f0を反射するようにFETゲート端子の近傍に開放端スタブを設置した。出力回路には基本周波数における同調損失を低く抑えるために3個の伝送線路の変成器で2f0の反射を実現した。3000時間の寿命試験からMTTFは接合温度150°Cで1×107時間と推定された。これは宇宙応用として十分な信頼性である。効率68%は100WクラスのCバンド増幅器として知る限り最高の性能である。またこれは進行波管増幅器に匹敵するものである。
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分類 (3件):
分類
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宇宙通信  ,  増幅回路  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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