文献

J-GLOBAL ID：201002279038126250   整理番号：10A0537186

化学機械研磨におけるパッド凹凸によるスクラッチ

Scratching by pad asperities in chemical-mechanical polishing

著者 (3件)： SAKA N. (Lab. for Manufacturing and Productivity, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA, USA) ,  EUSNER T. (Lab. for Manufacturing and Productivity, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA, USA) ,  CHUN J.-h. (Lab. for Manufacturing and Productivity, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA, USA)
資料名： CIRP Annals. Manufacturing Technology  (CIRP Annals. Manufacturing Technology)
巻： 59  号： 1  ページ： 329-332  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0026A  ISSN： 0007-8506  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ-ナノスケール半導体装置や電気機械システムの製造では,化学機械研磨(CMP)法が広く使われる。CMPでは軟質パッド凹凸によって,金属相互接続および低k誘電体表面上に,有害スクラッチが作られる。この論文は,パッド凹凸形状,接触摩擦,材料の機械的性質から,スクラッチ開始の接触力学モデルを提案する。銅被覆上の乾式,湿式,潤滑実験の結果から,理論モデルの有効性を定性的に立証した。CMP加工中のパッド凹凸によるスクラッチを軽減するために,開発モデルは摩擦係数が0.2以下に保たれるように提案した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体 ,  研磨 ,  *欠陥 ,  *化学研磨 ,  切削工具 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *CMP【化学研磨】 ,  研磨パッド

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学機械研磨 ,  パッド ,  凹凸 ,  スクラッチ