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J-GLOBAL ID：201002279204486406   整理番号：10A0098232

(Ga,N)および(Al,N)コドープZnO膜の結晶性および光電気化学応答の強化

Enhanced crystallinity and photoelectrochemical response of (Ga,N) and (Al,N) co-doped ZnO films

著者 (8件)： SHET Sudhakar (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  SHET Sudhakar (New Jersey Inst. Technol., NJ, USA) ,  AHN Kwang-Soon (Yeungnam Univ., Gyeongbuk, KOR) ,  RAVINDRA N.M. (New Jersey Inst. Technol., NJ, USA) ,  YAN Yanfa (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  DEUTSCH Todd (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  TURNER John (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  AL-JASSIM M. (National Renewable Energy Lab., CO, USA)
資料名： Materials Science & Technology Conference and Exhibition  (Materials Science & Technology Conference and Exhibition)
巻： 2009 Vol.1  ページ： 277-286  発行年： 2009年 
JST資料番号： E0697C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属酸化物は,水からの光電気化学(PEC)H₂生産のための有望な候補材料である。これまでTiO₂のみが大きな注目を集めているが,ZnOは,TiO₂以上の直接バンドギャップと高い電子移動性を有する。従ってZnOのPEC特性も調べる必要がある。本研究では,低O₂流量のN₂/O₂混合ガス中での反応性RFマグネトロンスパッタリングによりFドープSnO₂被覆透明ガラス(FTO)基板上にZnO:(Ga,N)およびZnO:(Al,N)薄膜を室温および100°Cで蒸着,500°Cで後アニールして合成した。電荷補償ドナー-アクセプタコドーピングにより,ZnOにNのみをドープしたものに比べて結晶性が向上し,ZnO:(Ga,N)およびZnO:(Al,N)の場合,より多くのNを組み入れることができ,その結果,これらの薄膜では,高低両温度でPEC応答(光電流)が改良されることが分かった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  フッ素添加 ,  酸化スズ ,  セラミック被覆 ,  ガラス ,  透明材料 ,  ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  *反応性スパッタリング ,  *窒素 ,  酸素 ,  雰囲気 ,  *スパッタ蒸着 ,  亜鉛 ,  酸化ガリウム ,  アルミニウム ,  結晶度 ,  *光電気化学反応 ,  応答 ,  光電流 ,  光電気化学
準シソーラス用語： *FTO ,  Fドープ酸化スズ ,  PEC【電気化学】 ,  結晶性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  Al ,  ZnO ,  結晶性 ,  光電気化学 ,  応答 ,  強化