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J-GLOBAL ID:201002279272641894   整理番号:10A0951885

高温超伝導体緩衝層としてのエピタキシャル酸化セリウム膜の析出のためのニトリロトリ酢酸/酢酸経路

A nitrilo-tri-acetic-acid/acetic acid route for the deposition of epitaxial cerium oxide films as high temperature superconductor buffer layers
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資料名:
巻: 183  号:ページ: 2154-2160  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ニトリロトリ酢酸(NTA)および酢酸を錯体形成剤として用いる水系の酸化セリウム前駆体溶液を詳細に記述した。この前駆体溶液をディップコーティングによるNi-5原子%W基板上のエピタキシャルCeO2層の析出のために用いた。透明な均一溶液およびゲルの形成に対する錯体形成挙動の影響を調べた。ゲル化においてエチレンジアミンが重要な役割を演じていることが見いだされた。酸化セリウム膜の成長条件はAr5%気体加工雰囲気,0.25Mの溶液濃度レベル,900°Cで60分間および1050°Cで5~30分間の滞留時間であった。X線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),原子間力顕微鏡法(AFM),極点図,および分光エリプソメトリーを用いて種々の厚さを有するCeO2膜をキャラクタリゼーションした。減衰全反射-Fourier変換赤外(ATR-FTIR)を用いて酸化セリウム膜の表面における炭素残渣レベルを測定し,0.01%未満であることを見いだした。50nmの厚さを有する表面組織化膜が得られた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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固-固界面  ,  塩基,金属酸化物 

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