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J-GLOBAL ID：201002279368180731   整理番号：10A0459781

超長波長赤外検出用のタイプII InAs/GaSb/AlSb超格子に基づく少数電子ユニポーラ光検出器

Minority Electron Unipolar Photodetectors based on Type II InAs/GaSb/AlSb superlattices for very long wavelength infrared detection

著者 (4件)： NGUYEN Binh-Minh (Northwestern Univ., Illinois) ,  POUR Siamak Abdollahi (Northwestern Univ., Illinois) ,  BOGDANOV Simeon (Northwestern Univ., Illinois) ,  RAZEGHI Manijeh (Northwestern Univ., Illinois)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7608  ページ： 760825.1-760825.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タイプII InAs/GaSb超格子の新しい型としてM構造超格子が提案されている。M構造を用いて,慣用の光伝導素子と光起電力素子の長所を継承した新しい赤外検出器構造pMpを設計した。この少数電子ユニポーラ光検出器はp型半導体中の多数正孔の輸送を遮断するM構造障壁からなり,低電流密度の少数キャリアに起因した電気輸送をもたらす。超長波長赤外検出に77Kで応用した14μm遮断検出器の暗電流は3.3mA/cm²,50mVバイアスでの光応答性は1.4A/W,ショット雑音検出能は4×10¹⁰Jonesであった。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *超格子 ,  *素子構造 ,  少数キャリア ,  暗電流 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  P型半導体
準シソーラス用語： *pMp構造 ,  M構造

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 長波長赤外 ,  タイプ ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  電子 ,  光検出器