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J-GLOBAL ID：201002279464313203   整理番号：10A0322194

バンド端近傍発光が増強した一次元GaNナノ構造の化学蒸着によるエピタキシャル成長

Epitaxial growth of one-dimensional GaN nanostructures with enhanced near-band edge emission by chemical vapor deposition

著者 (3件)： SONG Taeseup (Div. of Materials Sci. Engineering, Hanyang Univ., Seongdong-gu, Seoul 133-791, KOR) ,  PARK Won Il (Div. of Materials Sci. Engineering, Hanyang Univ., Seongdong-gu, Seoul 133-791, KOR) ,  PAIK Ungyu (Div. of Materials Sci. Engineering, Hanyang Univ., Seongdong-gu, Seoul 133-791, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 1  ページ： 011105  発行年： 2010年01月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な光学的特性を有する階層構造GaN一次元ナノ構造をエピタキシャル成長させるための簡単な化学蒸着法を報告する。Ga源の蒸着温度を変えて,GaN一次元ナノ構造の形態を六方晶系ファセットの鉛筆状構造から,粗面を有する多角形塔状構造に変えることができた。また,GaN一次元ナノ構造の形態と発光特性の相関を調べた。空間及びスペクトル分解した陰極線ルミネセンス測定から,GaN一次元ナノ構造の相対バンド端近傍発光強度がGaN薄膜のそれの8~20倍強いことを明らかにした。さらに,鉛筆状GaN一次元ナノ構造は多角形塔状構造一次元ナノ構造よりも2.5倍強い陰極線ルミネセンス強度を示した。これらの結果はGaN一次元ナノ構造の表面形態を制御することで,GaNナノ構造の光学的性質を改善できることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 発光 ,  バンド構造 ,  *窒化ガリウム ,  ナノ構造 ,  化学蒸着 ,  エピタクシー ,  温度依存性 ,  *陰極線ルミネセンス ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *表面構造
準シソーラス用語： バンド端近傍発光 ,  *表面形態

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンド端 ,  近傍 ,  増強 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  化学蒸着 ,  エピタキシャル成長