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J-GLOBAL ID：201002279602155789   整理番号：10A0609957

ヘテロ接合チャネルを備えたグラフェンナノリボン・トンネルFETのシミュレーション調査

A Simulation Study of Graphene-Nanoribbon Tunneling FET With Heterojunction Channel

著者 (7件)： LAM Kai-Tak (National Univ. Singapore, Singapore) ,  SEAH Dawei (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHIN Sai-Kong (A*STAR, Singapore) ,  BALA KUMAR S. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  SAMUDRA G. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YEO Yee-Chia (National Univ. Singapore, Singapore) ,  LIANG Gengchiau (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 6  ページ： 555-557  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンナノリボン(GNR)トンネルFETに関して,エネルギーギャップ(E_G)エンジニアリングによる性能改善を提示した。E_Gがリボン幅に依存することから,ヘテロ接合構造のGNRチャネルを設計し,シミュレーションによりデバイスの物理と性能を検討した。ソース近くにE_Gの小さな領域を,真ん中にE_Gの大きな領域を組み込むことにより,オン電流の増大とオフ電流の低減が可能である。チャネル長スケーリングの効果も調べた。チャネル長10nmで,4桁のオン/オフ電流比が得られる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  トンネル効果 ,  *ナノ構造 ,  *グラファイト ,  ヘテロ接合 ,  チャネル ,  エネルギーギャップ ,  長さ ,  電流電圧特性 ,  スケーリング【計数】 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *ナノリボン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ接合 ,  チャネル ,  グラフェンナノリボン ,  トンネルFET ,  シミュレーション ,  調査