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J-GLOBAL ID：201002279861122503   整理番号：10A0220956

無ドープnFinFETにおける輸送現象研究用ツールとしての熱イオン放出

Thermionic Emission as a Tool to Study Transport in Undoped nFinFETs

著者 (9件)： TETTAMANZI Giuseppe C. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  PAUL Abhijeet (Purdue Univ., IN, USA) ,  LANSBERGEN Gabriel P. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  VERDUIJN Jan (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  LEE Sunhee (Purdue Univ., IN, USA) ,  COLLAERT Nadine (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  BIESEMANS Serge (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  KLIMECK Gerhard (Purdue Univ., IN, USA) ,  ROGGE Sven (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 2  ページ： 150-152  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無ドープ三重ゲートMOSFETにおける熱活性化サブスレッショルド輸送について研究した。障壁高さの進展とチャネルの能動断面積をゲート電圧の関係として決定した。実験結果と,展開した強束縛近似シミュレーションは,いづれも,従前の解析的計算結果とよい一致を示して,FETにおける輸送現象の研究における熱イオン法の有用性を裏付けた。本法はデバイス特性改善に重要なツールとなる。

シソーラス用語： フィン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *輸送現象 ,  電気伝導 ,  キャリア拡散 ,  熱電子放出 ,  *ゲート【半導体】 ,  強束縛近似 ,  バンド構造 ,  ポテンシャル障壁 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： FinFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  輸送現象 ,  研究 ,  ツール ,  熱イオン放出