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J-GLOBAL ID:201002279882055709   整理番号:10A0978288

TEMを用いたCuワイヤボンデイングのCu-Al IMC微細構造に関する研究

Cu-Al IMC Micro Structure Study in Cu Wire Bonding With TEM
著者 (2件):
資料名:
巻: 17th  ページ: 154-157  発行年: 2010年 
JST資料番号: W1259A  ISSN: 1946-1542  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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走査透過型電子顕微鏡(STEM)とエネルギー分散X線分光分析(EDX)を用いて,175°Cで0,168,500と1000時間の高温ストレスを印加することにより,280°Cボンデイング温度下でAlSiCuボンデイングパッド上への5N Cuワイヤボンデイング中Cu-Al金属間化合物(IMC)の微細構造について詳細に調べた。CuAl2(θ),CuAl(η2),Cu4Al3(ζ2),Cu3Al2(δ),Cu9Al41)とCu3Al12)の6IMC相の全てを確認した。また,全研究で今まで報告されなかった,新IMC Cu3Al1を発見した。一般に,薄型Al,厚型IMCと多くのCuリッチIMCを生じるボール中央と比較して,ボール周辺が多数のIMC成長を生じた。一般に,CuリッチIMCの発達とともに空孔と分離を観測した。空孔と分離がより大きく成長した場合,Cuワイヤボンデイングの信頼性リスクが増すと考える。
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス材料  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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