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J-GLOBAL ID：201002279897178890   整理番号：10A0387518

低温溶液プロセスで製作したIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの化学的性質と電気的性質

Chemical and Electrical Properties of Low-Temperature Solution-Processed In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

著者 (4件)： YANG Ya-Hui (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG Sidney S. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  KAO Chen-Yen (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHOU Kan-San (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 329-331  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温溶液プロセスによるIn-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜トランジスタの製作について報告した。各元素水酸化物水溶液から水熱法により金属酸化物ナノ粒子ゲルを合成し,これらをカルボキシメチルセルロースナトリウム塩(CMC)を分散剤として使い純水中に分散し,10気圧,180°Cで1時間加熱して平均粒径80nmのIGZOナノ粒子ゲルを合成した。IGZO粒子ゲルをガラス基板上にスピンコートし,95°C,10分間加熱し粒子サイズの揃った平滑なInGaZn₂O₅薄膜を形成した。この薄膜を使って製作したTFTは,良好なスイッチング特性,高ドレイン電流(>10⁵),低閾値電圧(0.9V)と電界効果移動度2.3cm²/V・sとオンオフ比10⁶を示した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *水熱合成 ,  *薄膜トランジスタ ,  ナノ粒子 ,  薄膜成長 ,  ドレイン【半導体】 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  オンオフ比 ,  ドレイン電流 ,  酸化物半導体 ,  水熱法 ,  閾値電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温 ,  溶液 ,  プロセス ,  製作 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  化学的性質 ,  電気的性質