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J-GLOBAL ID：201002280146767996   整理番号：10A0224832

半導体のvan der Pauw測定における不均質領域の影響の有限要素法によるシミュレーション

A FEM Simulation of Effects of Inhomogeneous Regions on the van der Pauw Measurements of Semiconductors

著者 (2件)： 松村透 (秋田大 大学院工学資源学研究科) ,  佐藤祐一 (秋田大 大学院工学資源学研究科)
資料名： 材料の科学と工学  (Materials Science and Technology of Japan)
巻： 47  号： 1  ページ： 36-41  発行年： 2010年02月20日 
JST資料番号： G0788A  ISSN： 1347-4774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,化合物半導体を想定した低抵抗領域あるいは高抵抗領域を含む不均質な領域を有するモデルに対し,その不均質領域がvan der Pauw法による測定値にどのような影響を与えるか,また,その影響が及ぼされる原因について検討を行った。ラプラスの式を有限要素法により解く手法に基づき,正方形サンプルの四隅に点電極が設けられたモデルについてシミュレーションを行った。そして,不均質領域が対称位置に存在する場合と,不均質領域が偏在する場合の計算を行い,抵抗率とホール移動度の関係を示した。結果を簡単な電気回路モデルにより検討した。また,サンプル内の電位分布に関する検討を行った。不均質領域の存在による電位分布の乱れが大きな影響を与えていることが示唆された。

シソーラス用語： *有限要素法 ,  計算機シミュレーション ,  半導体 ,  *計測 ,  *不均一性 ,  *化合物半導体 ,  電気抵抗率 ,  Hall効果 ,  電気回路 ,  *モデリング ,  電位分布 ,  乱れ
準シソーラス用語： van der Pauw法

分類 (1件)： 電気物性一般  (BM03010R)

引用文献 (8件)：

• SHIODA, T. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 071102
• KRTSCHIL, A. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 262105
• PAPP, G. J. Appl. Phys. 2007, 101, 113717
• HOLZ, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 072513
• MOUSSA, J. J. Appl. Phys. 2003, 94, 1110

タイトルに関連する用語 (4件)： VAN ,  不均質 ,  有限要素法 ,  シミュレーション