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J-GLOBAL ID：201002280288319052   整理番号：10A0949980

マグネトロンスパッタリングで蒸着したSi過剰珪酸エルビウムからの室温でのEr³⁺ 1.54μmエレクトロルミネセンス

Room temperature Er³⁺ 1.54 μm electroluminescence from Si-rich erbium silicate deposited by magnetron sputtering

著者 (8件)： YIN Y (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  XU W J (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WEI F (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  RAN G Z (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  QIN G G (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  SHI Y F (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YAO Q G (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YAO S D (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 33  ページ： 335102,1-5  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 珪酸エルビウムに過剰のSiを添加してSi過剰珪酸エルビウム(SRES)膜をp型Si基板上に形成し,窒素中850°C及び1000°Cで焼なました。膜の化学組成をRutherford散乱分光法(RBS)で調べ,Ramanスペクトルを測定した。光ルミネセンスは過剰Siの増感効果を示した。電流電圧特性はこの膜から作製した素子(ITO/SRES/Si)のキャリア注入と輸送の明白な改善を示した。この素子のエレクトロルミネセンスを測定し,他の素子のものと比較した。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *薄膜成長 ,  ケイ酸塩 ,  エルビウム化合物 ,  エルビウム ,  ドーピング ,  焼なまし ,  Rutherford散乱分光法 ,  Ramanスペクトル ,  Raman分光法 ,  光ルミネセンス ,  *エレクトロルミネセンス ,  キャリア注入 ,  輸送現象 ,  電流電圧特性 ,  *EDFA
準シソーラス用語： 珪酸エルビウム ,  キャリア輸送

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  Si ,  珪酸 ,  エルビウム ,  室温 ,  Er3+ ,  エレクトロルミネセンス