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J-GLOBAL ID：201002280343704530   整理番号：10A0840726

ZnO:N膜のアクセプター濃度の増加のためのアプローチ

An approach to enhanced acceptor concentration in ZnO:N films

著者 (9件)： LI L. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  LI L. (Graduate School, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  SHAN C. X. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  LI B. H. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  ZHANG J. Y. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  YAO B. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  SHEN D. Z. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  FAN X. W. (Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  LU Y. M. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 45  号： 15  ページ： 4093-4096  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面サファイアを基材としてプラズマ支援分子ビームエピタキシーで,ドープ剤の無いZnOとN-ドープのZnOを成長させた。その際にはシャッターの開閉に3種類のモード(I. ZnとOを5分周期で開閉,Nは常時閉。II. ZnとOは5分周期で開閉,Nは常時開。III. ZnとOは5分周期で開閉,Nはこれらが開の時に閉,閉の時に開)を採用した。モードIIで,N-ドープの比較的高いホール濃度のp-ZnOが得られた。これはZnO:Nフィルムのアクセプターの濃度が増加したためである。これは光ルミネネッセンスでも確認された。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  *半導体薄膜 ,  *アクセプタ ,  基板 ,  サファイア ,  *MBE成長 ,  亜鉛 ,  酸素 ,  シャッタ ,  *Hall移動度 ,  *キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： キャリア濃度 ,  プラズマMBE

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： ZnO ,  アクセプター