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J-GLOBAL ID：201002280438706602   整理番号：10A0135715

三次元カーボンナノ壁の電界による放出配列

Three-dimensional carbon nanowall field emission arrays

著者 (7件)： STRATAKIS E. (Inst. of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Res. and Technology-Hellas (FORTH), Heraklion, 71110 ...) ,  GIORGI R. (Dep. of Physical Technol. and Material, Res. Centre of Casaccia, ENEA, Via Anguillarese 301, 00123 Rome, ITA) ,  BARBEROGLOU M. (Inst. of Electronic Structure and Laser (IESL), Foundation for Res. and Technology-Hellas (FORTH), Heraklion, 71110 ...) ,  DIKONIMOS Th. (Dep. of Physical Technol. and Material, Res. Centre of Casaccia, ENEA, Via Anguillarese 301, 00123 Rome, ITA) ,  SALERNITANO E. (Dep. of Physical Technol. and Material, Res. Centre of Casaccia, ENEA, Via Anguillarese 301, 00123 Rome, ITA) ,  LISI N. (Dep. of Physical Technol. and Material, Res. Centre of Casaccia, ENEA, Via Anguillarese 301, 00123 Rome, ITA) ,  KYMAKIS E. (Dep. of Electrical Engineering and Center of Materials Technol. and Laser, School of Applied Technol., Technological ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 043110  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円錐形Si微小突起森上にカーボンナノ壁を成長させることにより,三次元グラファイト構造の規則的配列の作製をこのレターで報告する。この階層成長プロセスにより達成された高い電場増強から,電子放出応用の可能性が示される。実験から,構造の電界放出性能と長時間安定性は,平面カーボンナノ壁マットよりもはるかに優れていて,最適カーボンナノチューブベースエミッターについて報告されているそれに匹敵する。作製した配列の改良された電界放出性質は,二スケール増強プロセスを含むエミッターのマイクロ形態とナノ形態の二重形態に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 三次元 ,  *炭素 ,  *ナノ構造 ,  *電界放出 ,  ケイ素 ,  隆起 ,  半導体 ,  安定性 ,  *エミッタ【半導体】
準シソーラス用語： *ナノ壁

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボン ,  ナノ壁 ,  電界 ,  放出