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J-GLOBAL ID：201002280548186833   整理番号：10A0229741

光マイクロリング共振器中のコヒーレント後方散乱

Coherent backscattering in optical microring resonators

著者 (7件)： MORICHETTI F. (POLICOM, Dipartimento di Elettronica e Informazione, Politecnico di Milano, Via Colombo 81, 20133 Milano, ITA) ,  CANCIAMILLA A. (POLICOM, Dipartimento di Elettronica e Informazione, Politecnico di Milano, Via Colombo 81, 20133 Milano, ITA) ,  MARTINELLI M. (POLICOM, Dipartimento di Elettronica e Informazione, Politecnico di Milano, Via Colombo 81, 20133 Milano, ITA) ,  SAMARELLI A. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow G12 8LP, GBR) ,  DE LA RUE R. M. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow G12 8LP, GBR) ,  SOREL M. (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow G12 8LP, GBR) ,  MELLONI A. (POLICOM, Dipartimento di Elettronica e Informazione, Politecnico di Milano, Via Colombo 81, 20133 Milano, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 8  ページ： 081112  発行年： 2010年02月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積リング共振器(RR)の導波路側壁粗さにより誘起される後方散乱の影響を実験で観測した。RRの多重往復に起因するコヒーレント後方散乱は共振器の実効群屈折率の二乗で増大し,10⁴の中程度のQ値でも集積RRの挙動に劇的影響を与えることを実証した。これらの結果から,後方散乱は最新のシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ナノ導波路により作製したRRの性能の過酷な制限因子の一つとして現れることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リング共振器 ,  光共振器 ,  *後方散乱 ,  散乱光 ,  干渉性散乱 ,  屈折率 ,  *SOI構造
準シソーラス用語： *マイクロリング共振器 ,  コヒーレント散乱 ,  群屈折率

分類 (1件)： レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロリング共振器 ,  コヒーレント ,  後方散乱