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J-GLOBAL ID：201002280778438874   整理番号：10A0221104

自立形4H-SiCエピ層上の高電圧n-チャネルIGBT

High-Voltage n-Channel IGBTs on Free-Standing 4H-SiC Epilayers

著者 (2件)： WANG Xiaokun (Purdue Univ., IN, USA) ,  COOPER James A. (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 2  ページ： 511-515  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立形4H炭化シリコン(4H-SiC)エピ層上への高電圧n-チャネル2重拡散MOS絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の作製プロセスについて述べた。20kVを阻止可能な高電圧n-チャネル2重拡散MOS IGBTを設計し,自立形4H-SiCエピ層上に作製した。この素子の作製プロセスでは,全ての主要層を連続エピタキシャル成長した後に,基板を除去し,全体の厚みが約180μmの自立形4H-SiCエピ層の炭素面上に素子を作製した。この素子は,177mΩ・cm²の微分オン抵抗とともに良好な導電度変調と300W/cm²の消費電力で27.3A/cm²のコレクタ電流を示した。これは自立形SiCエピ層上への素子作製に関する詳細な報告である。

シソーラス用語： 水素化 ,  炭化ケイ素 ,  エピタクシー ,  *IGBT ,  N型半導体 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  絶縁耐力 ,  接合形FET ,  *電力トランジスタ ,  半導体プロセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自立 ,  4H-SiC ,  エピ層 ,  高電圧 ,  チャネル ,  IGBT