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J-GLOBAL ID:201002280786434187   整理番号:10A1124864

高温での応用に適した材料のSiBCN:電気伝導に関する原子論的な起源

SiBCN materials for high-temperature applications: Atomistic origin of electrical conductivity
著者 (2件):
資料名:
巻: 108  号:ページ: 083711  発行年: 2010年10月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新奇で硬く,そして熱的に安定な非晶質物質であるSiBCNの電子構造に関する詳細な議論を行う。異なる元素,ボンドタイプ,異なるボンド長,および状態が局在する原子や原子クラスタの数に関する個々の電子状態の重要性に注目する。特に,Fermi準位周辺の状態に注目する。材料の(非)伝導性に対する個々の元素およびボンドタイプの効果を詳細に示す。得られた効果に基づいて,物質の組成と電子特性の間の複雑な関係に関する詳細な情報を得ることが可能で,また優れた電気伝導性と熱安定性のような異なる機能性の組み合わせによって,SiBCNの合成物を様々に調整できることが分かった。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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絶縁体結晶の電子構造  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 
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