文献

J-GLOBAL ID：201002280797830645   整理番号：10A0151306

光架橋性高分子ゲート誘電体上のペンタセントランジスタ作製 表面粘弾性およびデバイス応答の調節

Pentacene Transistors Fabricated on Photocurable Polymer Gate Dielectrics: Tuning Surface Viscoelasticity and Device Response

著者 (5件)： KIM Choongik (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  QUINN Jordan R. (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  FACCHETTI Antonio (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  FACCHETTI Antonio (Polyera Corp., Illinois, USA) ,  MARKS Tobin J. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 3  ページ： 342-346  発行年： 2010年01月19日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/ケイ素基板上にポリ桂皮酸ビニルまたは光硬化樹脂ActiveinkD0150のスピンコーティング膜を形成し,紫外線照射により光架橋させた(A)。ペンタセン膜を蒸着(B)し,金電極を積層してOTFTを作製した。X線回折,原子間力顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。電流電圧特性を測定した。Bにおける基板温度,高分子膜架橋度(粘弾性)がB結晶性に影響し,キャリア移動度と相関することを見出した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  高分子膜 ,  *ポリケイ皮酸ビニル ,  スピンコーティング ,  紫外線照射 ,  *光架橋 ,  蒸着膜 ,  ポリアセン ,  金電極 ,  積層構造 ,  *薄膜トランジスタ ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  基板温度 ,  結晶度 ,  キャリア移動度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  ゲート誘電体 ,  結晶性 ,  *OTFT

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 光架橋 ,  高分子 ,  ゲート誘電体 ,  作製 ,  粘弾性 ,  応答 ,  調節