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J-GLOBAL ID：201002280962454807   整理番号：10A0241135

Se修飾Au電極上のアンチモンアンダポテンシャル電着の速度論的研究

Kinetic studies of underpotential deposition of antimony on Se-modified Au electrode

著者 (4件)： SHI Xuezhao (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  ZHANG Xin (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  MA Chuanli (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  WANG Chunming (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN)
資料名： Journal of Solid State Electrochemistry  (Journal of Solid State Electrochemistry)
巻： 14  号： 1  ページ： 93-99  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： W1021A  ISSN： 1432-8488  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サイクリックボルタンメトリーとクロノアンペロメトリー(CA)により,Se修飾Au電極上のSbの電気化学挙動について調べた。Se,Sbの電荷密度はそれぞれ764,366μCcm^-2であり,Sb₂Se₃化合物の化学量論比に一致するSb/Se原子比0.64を示した。アンダポテンシャル領域における二次元核形成と成長機構によって,Se修飾Au電極上のSb単分子層の形成と溶出が進行した。CAから得た電流密度-過渡時間は,短時間域ではSb単分子層形成が即時の二次元核形成と核成長機構で進行するが,長時間域では実験曲線が計算値より逸脱することを示した。溶出プロセスでは,全時間領域でSb単分子層形成は即時二次元機構により進行した。

シソーラス用語： クロノアンペロメトリー ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *アンダポテンシャル電着 ,  除去 ,  ストリッピング ,  電気化学 ,  アンチモン ,  *金電極 ,  電気化学反応 ,  反応機構 ,  反応速度論 ,  セレン ,  円盤電極 ,  溶出 ,  電流電圧特性 ,  *セレン化物 ,  *アンチモン化合物

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Se ,  修飾 ,  Au電極 ,  アンチモン ,  アンダポテンシャル電着 ,  速度論 ,  研究