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J-GLOBAL ID：201002281070413304   整理番号：10A0686328

二次元非晶質誘電体における深トラップに位置した電子によるWigner結晶化

Wigner crystallization due to electrons localized at deep traps in two-dimensional amorphous dielectric

著者 (3件)： SHAIMEEV S. S. (Inst. of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, RUS) ,  GRITSENKO V. A. (Inst. of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, RUS) ,  WONG Hei (Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 26  ページ： 263510  発行年： 2010年06月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子の空間秩序化のような現象を説明するために,いくつかの基本物理に基づいて,非晶質誘電体膜における深中性トラップに位置する電子の空間分布を計算した。トラップの表面密度(N_s)がトラップされた電子のそれ(n_s)よりはるかに大きいとき,例えば,n_s/N_s<0.001のとき,Wigner結晶化がトラップされた電子のCoulomb反発により起こり,二次元準周期六方晶格子あるいはWignerガラスが形成され得ることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Wigner結晶 ,  *規則化 ,  空間分布 ,  非晶質 ,  *Coulomb相互作用 ,  六方晶系
準シソーラス用語： *二次元電子系 ,  秩序化 ,  *深トラップ

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  誘電体 ,  電子 ,  Wigner結晶