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J-GLOBAL ID：201002281110211181   整理番号：10A0334571

エピタキシャル強誘電体キャパシタにおける分域成長の異方性

Anisotropy of domain growth in epitaxial ferroelectric capacitors

著者 (4件)： WU D. (Dep. of Physics, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  VREJOIU I. (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Weinberg 2, D-06120 Halle/Saale, DEU) ,  ALEXE M. (Max Planck Inst. of Microstructure Physics, Weinberg 2, D-06120 Halle/Saale, DEU) ,  GRUVERMAN A. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Nebraska, Lincoln, Nebraska 68588-0111, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 11  ページ： 112903  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電応答力顕微鏡(PFM)を用いてミクロスケールエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃キャパシタのスイッチング運動を調べた。低から高電場に遷移すると分域成長運動が定性的に変化して,低電場での高異方成長に対し高電場では横等方成長になる。分域成長の異方性は,膜の微構造による活性化エネルギーの方位変化に起因することが示唆された。スイッチング運動をKolmogorov-Avrami-Ishibashiモデルによりフィッティングし,PFM実験データと良く一致して分域の次元性が整数値になることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  エピタクシー ,  *誘電体薄膜 ,  コンデンサ ,  *強誘電分域 ,  成長 ,  電圧依存性 ,  異方性 ,  活性化エネルギー ,  角度依存性 ,  成長解析 ,  曲線あてはめ ,  次元 ,  顕微鏡観察 ,  理論
準シソーラス用語： 強誘電体キャパシタ ,  *分域成長 ,  Kolmogorov-Avrami-Ishibashi理論

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  強誘電体キャパシタ ,  分域 ,  成長 ,  異方性