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J-GLOBAL ID：201002281160192617   整理番号：10A0109158

稠密,樹枝状および多孔質のSiO₂薄膜に関するNd-YAGレーザ化学蒸着による高速堆積

High-speed deposition of dense, dendritic and porous SiO₂ films by Nd: YAG laser chemical vapor deposition

著者 (4件)： ENDO Jun (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., JPN) ,  ITO Akihiko (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., JPN) ,  KIMURA Teiichi (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., JPN) ,  GOTO Takashi (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., JPN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 166  号： 3  ページ： 225-229  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 稠密,樹枝状および多孔質のSiO₂薄膜を,大出力連続波モードNd-YAGレーザ(206W)を用いたレーザ化学蒸着(LCVD)とTEOS(テトラエチルオルトシリカート)前駆体とによって調製した。微細構造と堆積速度(R_dep)とに及ぼすレーザ出力(P_L)と全チャンバ圧力(P_tot)との効果を調べた。非晶質SiO₂を,P_LとP_totとに関係なく得た。P_L>160WおよびP_tot>15kPaにおいて,ノズルと基板との間で炎の形成を観測した。P_L=206Wにおいて,稠密,樹枝状および多孔質のSiO₂薄膜を,それぞれP_tot<20kPa,P_tot=23kPaおよびP_tot>25kPaで得た。R_depは,炎形成条件下では数千倍に増大し,最高R_depを,稠密,樹枝状および多孔質のSiO₂薄膜に対して,それぞれ1200μmh^-1,22,000μmh^-1および28,000μmh^-1で得た。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多孔質体 ,  レーザCVD ,  *誘電体薄膜 ,  連続レーザ ,  Nd-YAGレーザ ,  前駆体 ,  微細構造 ,  非晶質 ,  堆積速度 ,  *薄膜成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  樹枝状結晶 ,  レーザ出力 ,  脂肪族アルコール ,  無機酸エステル ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  多孔質シリカ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： テトラエチルオルトシリカート

タイトルに関連する用語 (6件)： 多孔質 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  Nd-YAGレーザ ,  化学蒸着 ,  堆積