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J-GLOBAL ID:201002281182133827   整理番号:10A0518098

混成した窒化ホウ素とグラフェン分域の原子層

Atomic layers of hybridized boron nitride and graphene domains
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 430-435  発行年: 2010年05月 
JST資料番号: W1364A  ISSN: 1476-1122  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高性能グラフェン系デバイスの開発を目的として,六方晶BN(h-BN)とグラフェンの混成相から成るハイブリッド原子単一層(h-BCN)の均一で連続した薄膜を,基板(Cu,石英など)をAr/H2気流中,600°Cで焼鈍後,900~1000°Cに昇温,上記ガスに代えてメタンとアンモニアボランを導入するCVD法で基板表面に成長させた。同様にしてh-BN及びグラフェン薄膜も調製した。光顕/AFM観察で表面構造を,またHRTEMで微細構造を調べ,六方原子構造の示唆を得た。EELS測定で化学組成を定量し,Cu基板表面の原子膜はB,C及びNから成る六方構造をもつことを確認した。XPSスペクトル(線形と位置)からBの結合配置はh-BNに類似していることが分かり,またRamanスペクトルは単層又は二層グラフェンの生成を示唆した。h-BNCリボン(5~15μm幅)から,フォトリソグラフィーでh-BNC-FETを作製し,真空中,室温で電気輸送特性を測定した。また,電気抵抗の温度依存性を調べた(50~200K).研究結果はh-BCNの構造的特徴とバンドギャップがグラフェン,ドープしたグラフェン及びh-BNのものとは異なることを明らかにし,この新型のh-BNC材料は電子工学と光学での潜在的用途への展開を可能にすると結言した。
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分類 (4件):
分類
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物  ,  窒素とその化合物  ,  その他の無機化合物の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (4件):
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