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J-GLOBAL ID：201002281235820562   整理番号：10A0472200

プラズマベース堆積とイオンエッチングを含む構造ゾーン図

A structure zone diagram including plasma-based deposition and ion etching

著者 (1件)： ANDERS Andre (Lawrence Berkeley National Lab., Univ. of California, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 15  ページ： 4087-4090  発行年： 2010年05月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィルタード陰極アーク蒸着や高電力衝撃マグネトロンスパッタリングによる堆積で典型的な大フラックスイオンを特徴とする高エネルギー堆積を含む拡張構造ゾーン図を提案した。その軸は一般化相同温度,規格化運動エネルギーフラックス,及びイオンエッチングにより負になり得る全膜厚からなる。成長に影響する主な物理パラメータの数はこのような図で得られる軸の数を遙かに超えるため,成長条件-構造関係の近似的で単純化された表示図だけを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  ARE法 ,  *プラズマ処理 ,  *イオンエッチング ,  イオンめっき ,  マグネトロンスパッタリング ,  運動エネルギー ,  膜厚 ,  プロセスパラメータ ,  *モルフォロジー ,  ナノ結晶 ,  多孔質体
準シソーラス用語： 陰極アーク蒸着 ,  相同温度

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマ ,  堆積 ,  イオンエッチング ,  ゾーン