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J-GLOBAL ID：201002281424130631   整理番号：10A0500817

原子層堆積で成長させた高κゲートスタック用のErドープHfO₂(Erが約15%)の誘電特性

Dielectric properties of Er-doped HfO₂ (Er~15%) grown by atomic layer deposition for high-κ gate stacks

著者 (10件)： WIEMER C. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA) ,  LAMAGNA L. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA) ,  BALDOVINO S. (Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita degli Studi di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  PEREGO M. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA) ,  SCHAMM-CHARDON S. (CEMES-CNRS and Univ. de Toulouse, nMat group, BP 94347, 31055 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  COULON P. E. (CEMES-CNRS and Univ. de Toulouse, nMat group, BP 94347, 31055 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  SALICIO O. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA) ,  CONGEDO G. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA) ,  SPIGA S. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA) ,  FANCIULLI M. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza, Monza Brianza 20041, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 18  ページ： 182901  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上に原子相堆積によりErドープのHfO₂(Erが約15%)を成長させた。このドープした酸化物の特性をHfO₂の場合と比較した。ErドープのHfO₂では,立方構造の安定化とEr³⁺の高い分極率効果により900°Cでのアニール後に約33の誘電率が得られた。HfO₂の金属副格子内へのErの挿入により,s段祖空孔が形成されて正味の固定電荷密度が減少する。同じ酸化物換算厚みに対して,ErドープHfO₂ではHfO₂よりも低い漏れ電流が計測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁材料 ,  *酸化ハフニウム ,  ドーピング ,  エルビウム ,  原子層エピタクシー ,  *薄膜成長 ,  立方晶系 ,  分極率 ,  RTA【熱処理】 ,  結晶化 ,  誘電率 ,  空格子点 ,  *MOS構造 ,  膜厚 ,  漏れ電流 ,  電圧 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 酸素空孔 ,  EOT ,  フラットバンド電圧

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  高 ,  ゲートスタック ,  Er ,  ドープ ,  HfO2 ,  誘電特性