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J-GLOBAL ID：201002281488646429   整理番号：10A0465554

パルスインジェクション法を用いたMOVPEによるAlN/GaN多重量子井戸の770°Cでの作製と1.55μmでのサブバンド間遷移観測

Fabrication of AlN/GaN Multi Quantum Wells at 770°C by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Using Pulse Injection Method and Observation of Intersubband Transition at 1.55μm

著者 (5件)： YANG J.S. (Univ. of Tokyo) ,  HASSANET S. (Univ. of Tokyo) ,  SUGIYAMA M. (Univ. of Tokyo) ,  NAKANO Y. (Univ. of Tokyo) ,  SHIMOGAKI Y. (Univ. of Tokyo)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-TA-5  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *多重量子井戸 ,  *MOCVD ,  *電子遷移 ,  赤外吸収スペクトル ,  光通信 ,  近赤外線 ,  基板温度 ,  幅 ,  炭素 ,  青方偏移
準シソーラス用語： *サブバンド間遷移

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOVPE ,  AlN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  作製 ,  サブバンド間遷移 ,  観測