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J-GLOBAL ID：201002281581056674   整理番号：10A1048416

Cr薄膜のL₂,L₃分岐比の厚さ依存性

Thickness dependence of the L _2,3 branching ratio of Cr thin films

著者 (5件)： AKSOY F. (Physics Dep., Univ. of Cukurova, 01330 Adana, TUR) ,  AKSOY F. (Physics Dep., Univ. of Nigde, 51100 Nigde, TUR) ,  AKGUEL G. (Physics Dep., Univ. of Cukurova, 01330 Adana, TUR) ,  UFUKTEPE Y. (Physics Dep., Univ. of Cukurova, 01330 Adana, TUR) ,  NORDLUND D. (Stanford Synchrotron Radiation Lab., 2575 Sand Hill Road, Menlo Park, CA 94025,USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 508  号： 2  ページ： 233-237  発行年： 2010年10月22日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クロム(Cr)薄膜の電子構造の厚さ依存性について,2つの測定,全電子放出率(TEY)および透過率モードを用いて報告した。Cr L端X線吸収分光(XAS)スペクトルは強い厚さ依存性を示し,薄膜ほど幅広いラインのL₂,L₃端ピークが観察された。白線比(L₃/L₂)は,各L₃とL₂ピークの積分面積からは1.25,畳み込み後の各L₃とL₂ピークの振幅比からは1.36であった。また,L₂とL₃端の半値全幅(FWHM)とCrの分岐比は膜厚の関数として変化し,これらについて詳細に検討した。膜厚の関数としてL₂,L₃共鳴強度変化を用い,Cr中の電子脱出深さとX線減衰長を計算した。これらの結果を文献と比較し,詳細な形状は固体状態と原子的効果を追加して示すことができるが,L₃-L₂比に対して良く一致した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *構造解析 ,  遷移金属 ,  *金属薄膜 ,  クロム ,  XANES ,  電子構造 ,  依存性 ,  *X線吸収分光法 ,  X線光電子スペクトル ,  スペクトル解析 ,  FWHM ,  枝分れ ,  電子放出 ,  透過率
準シソーラス用語： 金属膜 ,  厚さ依存性 ,  分光透過率

分類 (1件)： 電子分光法  (BK01050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr ,  薄膜 ,  分岐比 ,  厚さ依存性