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J-GLOBAL ID：201002281588152237   整理番号：10A0918266

界面有機層:核形成及び成長に関するテーラード表面化学

Interfacial organic layers: Tailored surface chemistry for nucleation and growth

著者 (2件)： HUGHES Kevin J. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853) ,  ENGSTROM James R. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 28  号： 5  ページ： 1033  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機及び有機材料間の界面は,広範多種な技術にとって重要である。無機層を予め存在する有機層上に成長させねばならないとき,これらの界面の形成は大きなチャレンジである。このレビューにおいて,著者らは,遷移金属配位錯体及び原子層堆積を用いた無機-有機界面の基本的な側面に焦点を当てた。はじめに,ほとんどSiO₂上に形成され,多様な官能基をもち,分枝微細構造を有する層を含む,超薄界面有機層の合成及びキャラクタリゼーションの諸側面を議論した。これらの層と遷移金属配位錯体の反応の議論に話を進めた。多くの因子が,遷移金属錯体の取り込み及び形成される吸着種の組成を制御した。これらは,官能基の同定,密度,及び次元又は空間分布を含んでいた。室温において,官能基を欠く層上での吸着は,遷移金属錯体による有機層の侵入,及び有機/SiO₂界面における残存-OHとの反応を生じた。反応性官能基のほとんど二次元的な配列をもつ層上の吸着は,表面束縛官能基が二つの配位子交換反応を経て錯体と反応する,分枝「バイポッド」の形成を生じた。対照的に,三次元的に配列した高密度の官能基をもつ層に関して,遷移金属錯体は,その配位子を実際上剥ぎ取られた。界面有機層上での原子層堆積はまた,反応性官能基の密度及び接近可能性に強く依存した。二次元的に分散した高密度の官能基をもつ表面上で,原子層堆積による成長は,はじめ弱く減衰し,その後,ほとんど一様にそして滑らかになり,最終的に無修飾SiO₂の成長特性に展開した。充分な密度の官能基を欠く層上での成長は,対照的に,はじめ強く減衰し,得られる膜は粗く,強く島状で,三次元的であった。結果として,成長速度における初期減衰の強度と薄膜形態との間に相関が存在した。しかしながら,化学吸着種の組成及び構造も考慮されねばならないが,有機層による遷移金属錯体の初期取り込み量と薄膜成長の初期速度との間の相関はあまり直接的ではなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 有機材料 ,  *界面 ,  *薄膜成長 ,  核形成 ,  化学蒸着 ,  配位子 ,  成長速度 ,  自己組織系 ,  単分子層 ,  *化学吸着 ,  *遷移金属錯体 ,  二酸化ケイ素 ,  交換反応
準シソーラス用語： 官能基 ,  原子層堆積 ,  自己集合単分子層 ,  *有機薄膜

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  有機層 ,  核形成 ,  成長 ,  表面化学