文献

J-GLOBAL ID：201002281722098163   整理番号：10A0686408

ZnO表面量子井戸中のドナー密度における粗さ誘起変化からの電子散乱

Electron scattering from roughness-induced fluctuations in the donor density in ZnO surface quantum wells

著者 (3件)： QUANG Doan Nhat (Center for Theoretical Physics, Vietnamese Acad. of Sci. and Technol., 10 Dao Tan Street, Hanoi, VNM) ,  TUAN Le (Inst. of Engineering Physics, Hanoi Univ. of Technol., 1 Dai Co Viet Road, Hanoi, VNM) ,  TIEN Nguyen Thanh (Coll. of Sci., Can Tho Univ., 3-2 Road, Can Tho City, VNM)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 123709  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 重ドーピング酸化亜鉛(ZnO)表面量子井戸(SFQW)中の電子散乱の特定機構の理論を示した。キャリアがドナー密度における粗さ誘起変動から面内で特別に散乱されることを示した。ポテンシャル障壁位置の粗さ誘起変動からの法線散乱と組み合わせて,これは,結合表面粗さ(CSR)散乱と呼ばれる有効粗さ関連プロセスを起こす。CSR散乱は粗さとドーピングプロファイルの両方によって決まる。変動ドナー密度は小角でCSR散乱を支配し,大きな相関長にとって重要である。重ドーピングZnO SFQWにおける電子移動度はCSR散乱によって支配される。これは,(これまで説明されていない)極めて高い電子密度でのZnO表面近くの蓄積層の移動度データの説明を可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  表面 ,  *量子井戸 ,  ドナー ,  密度 ,  *表面粗さ ,  *電子散乱 ,  ドーピング ,  キャリア ,  ポテンシャル障壁 ,  小角散乱 ,  相関長 ,  キャリア移動度 ,  電子密度 ,  蓄積層
準シソーラス用語： 電子移動度

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  量子井戸 ,  ドナー ,  密度 ,  粗さ ,  誘起 ,  電子散乱